電子
次世代電子材料のポテンシャルを引き出す、極限の精密反応制御。
高純度・品質の極大化と、圧倒的な歩留まりの両立を実現します。
ナノテクノロジーの未来を形にする高度な制御技術
アプリケーション別・LCTR®の導入メリット
発光特性を支配する精密制御
量子ドットは粒子径がその発光特性を左右します。LCTR®、核生成と成長のプロセスを精密に分離・制御することで、極めて単分散性の高い（粒径分布が狭い）高品質な量子ドットの連続生産を実現します。
不純物を極限まで抑制
高純度が要求されるOLED素材において、LCTR®の均一な反応環境は不純物の生成を劇的に抑制します。また、結晶化プロセスにおいて均一な粒子径の結晶を得ることで、後工程（ろ過・洗浄）の効率化と最終製品のデバイス性能向上に寄与します。
最大限の歩留まりの確保
局所的なオーバー反応や未反応領域を抑制することで、不純物の生成を劇的に低減。高価な電子材料原料の損失を最小限に抑え、常に高い歩留まりを維持します。連続フロー生産方式により、大容量生産時でも品質を落とすことなくコスト効率を最大化します。
ジルコニアビーズ — エマルジョン重合
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目標：ビーズ径と真球度の精密制御による、迅速かつ連続的な生産
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結果：LCTR®は、より迅速で均一、かつ高収率なビーズ生産を実現
※本研究結果は、韓国化学研究院のリュ・ビョンファン博士の研究結果より抜粋したものです。
量子ドット（コア-シェル工程）
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目標：均一な粒子径、光学的精度のための連続合成
InP/ZnS 合成
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発光波長：505, 540, 605 nm
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半値幅 (FWHM)：46–48 nm
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量子収率：>50%
CdSe/ZnS 合成
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発光波長：510, 620 nm
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半値幅 (FWHM)：26–35 nm
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量子収率：>80%
触媒 (コア-シェル工程)
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目標：粒子径の微細化およびDMS転換効率の向上
反応：
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Cu(NO3)2 + NaOH + SiO2 → Cu(OH)2-SiO2
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Cu(OH)2-SiO2 →△ CuO-SiO2
※本研究結果は、韓国化学研究院のファン・ドンウォン博士の研究結果より抜粋したものです。
金属ナノ粒子 — キャッピング合成
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目標：連続システムにおける高収率、均一な粒度分布、および再現性の達成
実験条件：
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撹拌速度：400–1000 rpm
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温度：100–350°C
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反応時間：1–5分
※本研究結果は、韓国化学研究院のファン・ドンウォン博士の研究結果より抜粋したものです。
a) 1に近いほど粒度分布がより均一（A1：最小粒径領域の面積の和、At：全ピーク面積の総和）
OLED発光材料 — 冷却晶析
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目標：常温条件におけるコスト効率の良い連続精製
OLED発光材料 — 冷却晶析
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反応：$$KF + K_2MnF_6 + HF + H_2SiF_6 \rightarrow K_2SiF_6:Mn^{4+}$$
結果：
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連続大量生産
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安全性の向上（HFの安全な処理）
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コンパクトな反応器設置面積（省スペース化）
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安定した発光中心を持つ粒子径の制御
※本研究結果は、韓国化学研究院のキム・チャンヘ博士の研究結果より抜粋したものです。